Kniha podává zhuštěnou formou celou látku silnoproudé elektrotechniky, a to jak z hlediska vysvětlení principů funkce a vlastností silnoproudých strojů, přístrojů a zařízení, tak i z hlediska jejich provozu, výpočtu a návrhu. V knize jsou probrána nejen zařízení klasická, ale i výhledově perspektivní, např. výkonová elektronika, supravodiče, jaderné elektrárny apod.Kniha je určena nejširšímu okruhu inženýrů a techniků, zajímajících se o obor silnoproudé elektrotechniky nebo pracujících v tomto oboru.
104
_ epcs{2TzmcBk& ca)~1/2 _________________ ]/@cs_______ (16-25)
1 exp
e(Ui e)
k E
e, -s—
1+2„ p[11<09ín ]
650 600 500 400 350
871
.
Se zvyšující teplotou elektrody (např. teplota kolektoru, jsou adsorbovány něko-
likaatomové vrstvy, jež mění původní výstupní potenciál kovového povrchu hodnotu,
která prakticky rovná výstupnímu potenciálu kapalného cesia leží oboru 1,5 eV. Tyto hodnoty jsou pro některé kovy
uvedeny tab. 894)
až hodnoty čistého kovového povrchu elektrody. povrchová ionizace atomu cesia, které při svých nahodilých
pohybech dopadají elektrodu. 204. emitoru) zmenšuje hustota adsorbovaných atomů
cesia, povrch atomy cesia neúplně pokrytý jeho výstupní potenciál zvětšuje (obr. Výstupní potenciály čistých kovových povrchů některých vysoko-
tavitelných kovů, vhodných pro elektrody TEM měničů
Kov Struktura [V| [K]
W
polykrystalická 4,6
2 600
monokrystal 5,0
Mo polykrystalická 4,5 300
Ta monokrystal 4,3 400
Re
polykrystalická 4,8
2 500
monokrystal 5,4
Jiný důležitý proces probíhající povrchu elektrod vysokou teplotou, např.
3,66.ÁeícmJ Nalézá-li prostředí cesiové páry kovová elektroda, absorbují jejím povrchu
cesiové atomy. 204. na
emiteru TEM měniče, tzv. Při nižších teplotách, jako např. Hustota iontového proudu, vznikajícího tímto procesem,
vyjádřená rovnicí podle Sahy Langmuira .
Tah
