Kniha podává zhuštěnou formou celou látku silnoproudé elektrotechniky, a to jak z hlediska vysvětlení principů funkce a vlastností silnoproudých strojů, přístrojů a zařízení, tak i z hlediska jejich provozu, výpočtu a návrhu. V knize jsou probrána nejen zařízení klasická, ale i výhledově perspektivní, např. výkonová elektronika, supravodiče, jaderné elektrárny apod.Kniha je určena nejširšímu okruhu inženýrů a techniků, zajímajících se o obor silnoproudé elektrotechniky nebo pracujících v tomto oboru.
). Elektrická vodivost vodiče elektrickém
poli praktických případech ustálených stavech neovlivňuje tvar elektrostatického pole. 24. 24). homogenním izotropním
prostředí kvalitativní elektrostatický obraz pole vlivem dielektrika nezmění, kvantita
tivním vyjádření nutné respektovat velikost permitivity rozhraní dvou prostředí
s různou permitivitou dochází lomu čar intenzity elektrického pole elektrické indukce.
Eti E{2 Eni Enz (4-49)
83
.
b) Dielektrikum elektrostatickém poli
Vliv dielektrika (látka zanedbatelnou elektrickou vodivostí) elektrostatické pole
je charakterizován její poměrnou permitivitou (odst.
Podrobnější vysvětlení řadou příkladů uvedeno [20].2.
Úhel svíraný normálou styčné ploše místě průsečíku čáry rozhraním pro
středí větší permitivitou větší platí
tg (4-48)
Vektor intenzity elektrického pole zmenšuje při přechodu prostředí větší permitivitou e
svoji absolutní hodnotu tak, tečná složka nemění normálová složka zmenší
(obr.4. Pokud není uvnitř této dutiny nabité těleso,
je její vnitřní povrch bez náboje. 4.4. MATERIÁLY ELEKTROSTATICKÉM POLI
a) Vodivé teleso elektrostatickém poli
V kovovém vodiči umístěném elektrostatickém poli nastane posun nábojů, které
ovlivní vnější pole tak, povrch vodiče tvoří ekvipotendální plochu.3. Dutý vodič
v elektrostatickém poli
obalovým pláštěm vnitřek prázdná dutina.1. Vnitřek přitom stíněn proti elektrickému poli toto
uspořádání nazýváme Faradayova klec (obr. Tvar pole nezmění, je-li vodič tvořen pouze
Obr.
Vnitřek vodiče ekvipotendální prostor. Přebytečné elektrony
nebo kladně nabité atomy jsou přitom rozmístěny pouze tenké vrstvě povrchu vodiče. 25)
