Příručka silnoproudé elektrotechniky

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podává zhuštěnou formou celou látku silnoproudé elektrotechniky, a to jak z hlediska vysvětlení principů funkce a vlastností silnoproudých strojů, přístrojů a zařízení, tak i z hlediska jejich provozu, výpočtu a návrhu. V knize jsou probrána nejen zařízení klasická, ale i výhledově perspektivní, např. výkonová elektronika, supravodiče, jaderné elektrárny apod.Kniha je určena nejširšímu okruhu inženýrů a techniků, zajímajících se o obor silnoproudé elektrotechniky nebo pracujících v tomto oboru.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Josef Heřman

Strana 208 z 993

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Každý těchto pře­ chodů může být vnějšími obvody pólován buď přímém, nebo zpětném směru. U, tranzistoru využívá jevu, jehož podstata spočívá tom, velikost proudu procházejí­ cího závěrně pólovaným přechodem výrazně ovlivňována proudem, procházejícím propustně pólovaným přechodem. aktivní oblasti tranzistoru (obr. Každá vrstev je vyvedena elektrodu označené takto: emitor, báze, kolektor. přechodů PN, může být dvojfa odtud dva typy tranzistoru: tranzistor typu PNP tranzistorjypu NPN (tab. 107) propustně pólován emitorový přechod závěrně pólován kolektorový přechod. Střední ztrátový závěrný výkon (AV) vzhledem nepatrné velikosti závěrného proudu, podmínek předpokládající dobré chlazení provozní teplotu 150 obvykle zanedbatelný. a) Stručný popis funkce Tranzistor třívrstvá polovodičová trioda. nutné jej respektovat případě, tyto podmínky nejsou splněny. PLOŠNÝ TRANZISTOR Hrotový tranzistor, jehož objev stál prahu rozvoje polovodičové techniky, nemá v oblasti silnoproudé elektrotechniky uplatnění.katalozích výrobců polovodičových součástek jsou uváděny grafické formě závis­ losti '(/ f(&) pro nejčastěji vyskytující průběhy proudů pro­ cházející diodou. Zde bude věnována pozornost pouze tran­ zistoru plošnými přechody popsanými dříve.2. Stejnosměrné charakteristiky tranzistoru NPN zapojení společným emitorem (schematické znázornění) Z uspořádání vyplývá, tranzistor dva přechody J2. Vzájemné uspořádání vrstev, tj. Zjednodušeně pak lze psát Ic oc/ /cbo Jb /e kde proud báze, I proud emitoru, Ic proud kolektoru, (6-4) (6-5) 208 . Implicitně již'tedy tyto průběhy zahrnují vliv činitele tvaru k\.2. Určuje se výpočtem [51], [52], [53], 6. 107. 57). Obr. Příslušné přechody, nacházející mezi elektrodami, nazývají emitorový kolektorový