nad úrovní jedná polovodič typu rotože Fermiho úroveň zůstává oblasti
polovodiče konstantní protože neteče žádný proud směru zabraňuje tomu izolující
SiO2 stává tenká vrstva polovodiče pod hradlem vzdálenosti polovodičem
typu Potom máme situaci takovouto :
E
S 2
AI I
1 1
S C
S *
-----1-------------------- ,
r
>— 1-------------------------------------------
i l-ř
, J
\ l
P TYP Si
substrát
Obr.
Stejně jako předešlých typů tranzistorů jsou jejich vlastnosti závislé frekvenci. Typické
charakteristiky vypadají takto :
Rovněž náhradní obvod pro malý signál stejný jaký jsme poznali FETu.4-11
Obě oblasti typu křemíku jsou spojeny indukovaným kanálem typu připojení
malého napětí mezi kolektor drain emitor source poteče tímto kanálem proud
majoritních nosičů elektronů tento proud bude záviset napětí mezi hradlem emitorem.
Při zvýšení napětí mezi kolektorem emitorem bude uplatňovat pole mezi kolektorem a
emitorem dojde stejnému efektu jako případě FETu. 2. Kromě
tranzistoru s
mohou být tranzistory s
zužuje ochuzovaný typ.
74
. Uvažujeme-li náhradní obvod tranzistoru zkratujeme
výstupní svorky, můžeme spočítat poměr výstupního vstupního signálového proudu. Opět
tedy můžeme definovat mezní kmitočet MOSFETu tak, frekvence, kde tranzistor
přestává zesilovat vstupní signál. Proto charakteristiky tohoto
tranzistoru jsou velice podobné polaritu velikost napětí hradle
