2.4-6
Máme tedy dvě oblasti typu substrátu typu pokud mezi kolektor emitor připojíme
napětí hradle bude nulový potenciál vůči emitoru, jedná vlastně dvě diody
zapojené proti sobě
a v
směru pak bez napětí bude pásový diagram vypadat asi tak, jak idealizované naznačeno
na Obr.
( 2. 2.1 )
Kdybychom nahradili přechod hradlo emitor přechodem kov polovodič, dostali
bychom tzv. MESFET Důvodem to, rychlejší tranzistory jsou vyráběny bázi GaAs ,
u kterého ovšem veliký rozdíl mezi vlastnostmi elektronů děr jako nosičů proudu. 2.4-8 .4-6 .
Obr.4.4-7
72
.ä
dVfG
Vc konst. GaAs vyšší pohyblivost elektronů než tím menší průletové doby /
Tranzistory řízené polem izolovaným hradlem nazýváme obecně IGFET pokud je
jako izolant užit kysličník křemičitý Si02 nazýváme tento tranzistor MOSFET Průřez
tranzistorem IGFET máme Obr. 2. Proto
nelze vytvořit bipolární tranzistor GaAs jediným možným řešením unipolární struktura
s
oblasti desítek GHz nazývá TEGFET je
užíván převážně vnějších jednotkách družicové televize mikrovlnných spojovacích
zařízeních.
E
Si0 2
AI I
1 1
Si0 C
Si0 2
>—
i •
------ (-------------------- _
ir
1— 1--------------------
J 7
substrát TYP Si
Obr
