Přednášky a cvičení z předmětu Elektrotechnika I a II ve třetím a čtvrtém semestru I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Strana 62 z 128

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Protože tomto režimu podstatné sledování dynamického působení, ponecháme tento spínací režim pozdější dobu budeme dříve zabývat režimem zesilovacím.3-5, kde máme vynesenu hyperbolu maximální výkonové přípustné ztráty, vidíme dále, pro vysoká napětí dochází průrazu obdoba lavinového průrazu n přechodu proto nemůžeme užít vyšší napětí než VcEmax technických důvodů je omezen maximální proud kolektorem. Skutečné tranzistory však symetrické nejsou emitor vyšší dopování než kolektor, menší geometrické rozměry, atd. dispozici proto pouze takto vymezená oblast. klidové proudy napětí nějakého vhodného bodu přivedením relativně malého signálu vstup tranzistoru dojde změnám napětí proudů. Pokud oblasti kolektoru i emitoru měly shodné fyzikální geometrické vlastnosti velikost dotace, rozměry, atd. tranzistor byl zcela symetrický, nestalo vůbec nic výsledný tranzistor měl tytéž charakteristiky.Obr. Uvažujme následující zapojení: 64 . Bipolární tranzistor běžně užívá dvou režimech režimu zesilování režimu spínání. tj. Protože máme strukturu případně naskýtá otázka, čemu dojde, zaměníme-li emitor kolektorem kolektor emitorem. případě druhém režimu spínání též samozřejmě rozpínání budou počáteční podmínky takové, tranzistor nevede napětí VBE je nula nebo záporné kolektorem protéká pouze nepatrný proud 10-6 Ico . 2. Tranzistor tedy funguje jako zcela ideální spínač.Sepnutí dosáhneme tím, „skokem“ napětí změníme hodnotu +0,7 Tranzistor se otevře poteče jím velký proud, při čemž napětí bude nízké. P přechod báze emitor běžně průrazné napětí hodnotu proto musíme zabezpečit, aby nikdy toto napětí nebylo překročeno režimu uzavřeného tranzistoru. prvním případě zesilovacím režimu nastavíme pracovní podmínky tj. proto tomto tzv. inverzním režimu bude mít tranzistor nižší též podstatně nižší průrazné napětí