Příčiny jsou způsobeny konečnými odpory kontaktů diody a
vysokou injekcí minoritních nosičů tedy změnou počtu nosičů majoritních.tomto případě tečou pouze velice malé proudy minoritních nosičů tyto proudy pro větší
V prakticky jeho velikosti nebudou závislé. Charakteristika zobrazena na
dalším obrázku spolu charakteristikou reálné diody.
vého
proudu.
Reálná dioda oproti ideální liší hlavně dvou oblastech :
a/ oblasti přímého směru pro velké proudy přestává být charakteristika exponenciální blíží
se spíše lineární závislosti.2. 2.1 )
kde přiložené napětí náboj elektronu Boltzmanova konstanta teplota ve
°K, tzv.2 Polovodičové diody
Ideální charakteristiku polovodičové diody možné odvodit tvaru
r ^
= 2.
b/ V
oblasti dochází k
vzrůstu proudu. tunelovým
jevem objevil Zener toho název Zenerovy diody pro oba typy.
Toto tedy vysvětlení základních fyzikálních dějů přechodu čili
v
2. silně dopovaných přechodech může být elektrické pole tak silné až
107 V/cm ruší vazby elektronů, což kvantová teorie modeluje tzv.
Jednocestný usměrňovač
Obr.2-2
54
. saturační proud diody protékající proud
