Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 89 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Posunutí charakteristiky diody přímém směru směrem nižšímu napětí odpovídá tranzistoru posunutí vstupní charakteristiky menšímu napětí mezi bází emitorem. Ú LOHA 22. Všechny zbytkové proudy tranzistoru se zvětšují exponenciálně teplotou podle (6. odpory 2 tak, aby při napětí baterie U20 —10 nastavil pracovní bod sou­ řadnicích UCEP Icp mA. platí rovněž nej- větším zbytkovém proudu (viz úlohu 17), tj.Výhodou Darlingtonova zapojení, proti dvěma jednotlivým stupňům, je velmi malá vstupní vodivost (velký vstupní odpor) způsobená malým proudem báze prvního tranzistoru velká strmost daná velkým kolekto­ rovým proudem druhého tranzistoru.2) (+ platí pro tranzistory typu pro tranzistory typu NPN). Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Je dáno zapojení germaniovým tranzistorem typu podle obr. U germaniových křemíkových tranzistorů předpokládáme, = = 0,1 1. apř. I -^ceo So) ) Teplotní součinitel tranzistorů stejnou velikost jako diod. a) Vypočítejte pomocí sítě charakteristik obr. Jedním tranzistorem nelze těchto vlastností dosáhnout, protože strmost vstupní vodivost Glk jsou vázány vztahem s /?Glk 8.11). 75. pro zapojení společným emitorem plati A{7S t/BE ¡/B=konst T(& i90) (22. Číselná hodnota teplotního průniku udává pro germanium pro křemík mV/°C. I Teplotní závislost polovodičových diod popsaná úlohách existuje úměrně bipolárních tranzistorů. 91 . proudu mezi kolektorem a emitorem /CE0 při bázi naprázdno