Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 52 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Odpor velikosti 100 k. Napěťová závislost kapa­ city dána vztahem c > kde součinitel třeba dosadit: u difundovaných diod lineárním přechodem 3, u slitinových diod strmým přechodem (viz úlohu 5). Ladění rezonančních obvodů kapacitními diodami Je dáno zapojení podle obr. Při napětí byla změřena kapa­ cita diody pF. 54 . Skládá kapacitní diody, cívky kon- denzátoru odporu zdroje napětí U0. Používají elektronickému přelaďování rezonančních obvodů, automatickému dolaďování, modu­ lačních obvodech, směšovacích, násobičích kmitočtu, při řízení šířky pásma kapacitně vázaných pásmových propustí parametrických zesi­ lovačích. Závislost kapacity přivedeném napětí dána vztahem c ) pro napětí V. Zdroj napětí slouží tedy ladění rezonančního obvodu před­ stavuje pro střídavý signál zkrat. Kapacita odděluje stejno­ směrný potenciál musí být zvolena tak velká, aby pro všechny použité kmitočty představovala zkrat. 43. Tyto tzv. širokorozsáhové diody mají zvláště strmý přechod umožňuji vlivem strmé charakte­ ristiky f(U přeladění celého nebo VHF pásma pro příjem televizních programů nebo jednotlivých vlnových rozsahů rozhlasových přijímačů bez přepínání.Qje dostatečně velký, takže zatěžuje rezonanční obvod tvořený cívkou diodou jen nepatrně. Jiný název pro tuto součástku též varikap nebo varaktor.A U kapacitních diod využívá napěťové závislosti kapacity přechodu diody přivedeném napětí zpětném směru. Kapacitní diody jsou podstatě vyrobeny stejným způsobem jako sli­ tinové nebo difundované polovodičové diody. ÚLOHA 13. Při použití speciální difúzní techniky několika sobě jdoucími di- fúzními operacemi dosáhnout 1,3