Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

.............2.....................................119 10............................................................................................................ .................................................................. Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač... Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23................ Zesilovač ................4.................... Zapojeni zesilovačů......... Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik ...................104 9........................... Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém ................................................................................................... Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou ........................................ 138 Úloha 33................................ Teplotní stn sti.............112 Úloha 27......... Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu .........120 10................................................. Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10....................................................... Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24........2................ Teplotní lastn sti......................... Konstrukce st............................... 129 Úloha 32........................ Vlastnosti při střídavém ..................................3........................ Zesilovač malého signálu tranzistorem typu ....... Dolní mezní itočet... Vlastnosti při stejnosměrném ...................................................................1...........................3................ Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9............................................................................................. 86 8........ Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek. ........... 91 Úloha 22.........................................1...... Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í..................4...............129 Úloha 31.... Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru ............1.................................... 137 11.................... 124 IV.................123 Úloha 30.110 Úloha 25........ 103 9..Úloha 20..............................2...... 110 Úloha 26......................................... 122 Úloha 29..... Výpočet mezních kmitočtů ....................................................................................................................... Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu........................116 10......... Vlastnosti při stejnosměrném .............................................118 10........................................ Konstrukce st............................................................................... 129 11............. Horní mezní itočet.................. Zapojení děliče napětí tranzistorem typu .................................................................................. 107 9...................143 6 .......... 103 9............................ Unipolární tranzistory........................................................................................ 98 III............................................114 Úloha 28......................................... 129 11... Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21. Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ........ Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu ...................................... Vlastnosti při střídavém .................................................. 138 Úloha 34.....................................................

---

---