Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
Druhá mocnina této hustoty je
rovna součinu koncentrace elektronů děr p
kde AlTje rozdíl energetických hladin mezi valenčním vodivostním
pásem (šířka zakázaného pásu)
k Boltzmannova konstanta,
T teplota kelvinech, 300 K
Ve vlastním polovodiči dána vodivost jen vznikem páru elektron —díra,
kdežto příměsovém polovodiči dosáhne určitého typu vodivosti
dotováním donorů (pětimocné atomy) nebo akceptorů (trojmocné atomy)
do vlastního polovodiče.
Počet párů elektron —díra vzniklých jednotkovém prostoru nazývá
hustota nosičů náboje polovodiči n{.zvyšující teplotou vzrůstá pravděpodobnost, valenční elektrony
získají tak velkou energii, překonají energetickou bariéru zakázaného
pásu dostanou vodivostního pásu.4)
28
.1)
Teplotní závislost hustoty nosičů náboje dána vztahem
(6.
Tyto díry jsou rovněž pohyblivé, neboť mohou měnit své místo postupnou
výměnou elektronů mezi atomy krystalové mřížky. Tím vzniká tzv. porucha, tj.
Místa poruchy jsou při normální teplotě téměř úplně ionizována, takže
hustota elektronů nebo děr polovodiči přibližně rovna hustotě
donorů akceptorů. Hovoříme
pak defektních elektronech neboli dírách.
Podle zákona
n0Po nf(T) (6. Pro materiál vodivostí platí
nf (6. Přitom zůstane valenčním
pásu prázdné místo, které představuje kladný náboj mřížce.2)
(6. odchylka stavbě
krystalové mřížky proti ideálnímu krystalu. vodivostního pásu
se mohou některé elektroný dostat opět volné díry, tzn.3)
kde hustota donorů. elektrony
a díry rekombinují
