Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 137 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Na obr. Dioda kolektor —báze normálním režimu polo­ vána zpětném směru, takže podle úlohy musíme zavést náhradního zapojení mezi kolektor bázi kapacitu přechodu Cj.4) 139 . b) Proudové zesílení nakrátko j?je definováno Potom kapacita zapojena paralelně kapacitě pro napětí u0, které budí výstupní proud, platí Řešení Obr. 123. 123 úplné náhradní zapojení.2) U° jco(Cd Cj) (33.3) Výstupní proud pak dán vztahem '2 jco(Cd ) s jcoCj (33. úloze bylo uvedeno, náhradním zapo­ jení diody přímém směru zapojena paralelně difúzní vodivosti Gd difúzní kapacita Cd.Jaká závislost platí mezi fp, mezním kmitočtem proudového zesílení nakrátko zapojení společnou bází a) tranzistoru vzapojení společným emitoremje dioda báze —emitor polována přímém směru. Kromě toho je u tranzistorů mezi přívodem báze vlastním přechodem báze —emitor relativně velký odpor, němž dochází vlivem proudu báze úbytku napětí. Náhradní zapojení tranzistoru zapojení společným emitorem pro vysoké kmitočty (33. Tento jev náhradním zapojení vyjádřen sériovým odporem Rs.1) V případě zkratu výstupních svorkách platí ¡2 suo jcaCjU0 (33