Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 110 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

Prahové napětí V. c) Nakreslete náhradní zapojení pro malý signál nízký kmitočet. a) Sestrojte převodní charakteristiku f{U GE) při UCE —10 V. Dělicí poměr zapojení obr. 94. 95.12 — Obr. 94. b) Stanovte strmost nakrátko výstupní vodivost G2k při UCE —10 V a UGE V. — uce M Obr. Charakteristiky tranzistoru typu OSFET kanálem P Řešení a) sítě charakteristik obr. Vidíme zde kvadratickou závislost kolektorového proudu napětí hradla. získáme bodovou konstrukcí převodní charakteristiku GE) param etrem UCB která na­ kreslena obr. jako funkce napětí UGE ÚLOHA 26. 93. Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakteristik Je dána síť výstupních charakteristik tranzistoru typu OSFET ka­ nálem podle obr. Tato vlastnost pro některé aplikace žádoucí, 112

---

---