Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
6)
v oblasti UCE (UGE Ut).3) bude
(UGE Ut)2
(25. obr.
Dále vidíme, saturované oblasti není proud konstantní, ale že
nepatrně vzrůstá. Charakteristiky tranzistoru typu OSFET kanálem normálním
stavu nevodivým)
místo UGE dosadíme výraz UGE Podm ínka UGE změní
na UGE Ut.
Místo (25. jsou uvedeny výstupní charakteristiky tran
zistoru SFET (kanál norm álním stavu nevodivý, V).5)
(25.1) tvaru
Ic K(Uge Ut) UCE (25. 87. Zvláštním technologickým postupem dá
107
.
9.2) bude
Ir (UGE [/,) UCE
U 2ce
v oblasti UCE (UGE konečně místo (25.—
Obr. Tím přejde (25.4)
v oblasti UCE (Uop U,). m
t S
U tranzistoru řízeného elektrickým polem kanálem normálním
stavu nevodivým vytvoří vodivý kanál teprve kladným napětím na
hradle (obohacovací typ).3
