Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Strana 9 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

........ 29 Obr........ 30: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz výřez................................................ 31 Obr.................. 39 Obr........ 30 Obr................................................................................. 28 Obr............................................................................ 28 Obr.................................................. 42: Funkce modelovaného polovodičového přechodu ............................... 26 Obr.................................. 31: Závislost ztrát štěrbinovém vedení frekvenci .......................................................... 34: Profil modelovaného koplanárního třívodičového vedení . 45 Obr................................. 38 Obr................................................. 46: Rozložení elektrického pole průřezu nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu . 52: Rozložení elektrické vodivosti při napětí -25 ....................... 46 ................ 48: Normovaná fázová konstanta šíření nesymetrickém mikropáskovém vedení................................. 39: Dotační profil diody....... 44 Obr.............................................................. 29: Vygenerovaná síť konečných prvků výřez ................................................................................................................. 41: Závislost vodivosti ztrát hodnotě dotací elektronů Nd......................................... 36: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz ....... 43: Struktura polovodiče....................................... 44 Obr........ 44 Obr... 27 Obr.................. 26 Obr........................ 29 Obr............. 38 Obr.................... 50: Elektrický potenciál při napětí -25 V...... 33: Koplanární třívodičové vedení rozměry ............................................ 51: Rozložení elektrické vodivosti při napětí ................. 37: Závislost ztrát koplanárním třívodičovém vedení frekvenci....................................................... 49: Elektrický potenciál při napětí V........................................................................................................ 32: Závislost normované fázové konstanty šíření štěrbinovém vedení na frekvenci ......... 46 Obr... 45: Výpočetní síť nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu............................... 46 Obr....................................... 36 Obr. 44: Struktura nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu............... 35: Vygenerovaná síť konečných prvků.......................................... 27 Obr..4 Obr... 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET....... 47: Závislost ztrát frekvenci při napětí přiloženém mikropásek.......................... 46 Obr............................................................... 28: Profil modelovaného štěrbinového vedení výřez .......................................... 38: Závislost normované fázové konstanty šíření koplanárním třívodičovém vedení frekvenci ... 30 Obr........ 34 Obr......................................................................................................................... 45 Obr..............................................

---

---