Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Pavel Chára

Strana 40 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
1 byl uveden soubor základních rovnic (41) (45).35 kde jsou doby života nosičů hodnota intrinsické koncentrace [8]. 7.3 Analýza základních rovnic okrajové podmínky V kapitole 7. . Tato ohraničená doména obecně trojrozměrná, tak jako prakticky všechny polovodičové struktury. Použitím rovnice (41) substitucí rovnic proudové hustoty (44) (45) do rovnic kontinuity (42) (43) dostáváme systém tří parciálních diferenciálních rovnic (50) (52) proměnnými p. důležité zmínit, vztazích proudových hustot (44) (45) byly opomenuty složky proudu způsobené zúžením zakázaného pásma teplotním gradientem, protože jsou vlivy těchto efektů považovány zanedbatelné. Nechť ∂D, značí dílčí hranice domény která může být principu rozdělena na dvě části Ap DDD ∂∪∂=∂ (53) kde ∂Dp značí části hranice představující skutečné fyzické hranice, jako jsou kontakty rozhraní. Naopak ∂DA, značí umělé rozhraní, které zavádí například za účelem vyčlenění dílčí struktury rozměrného substrátu nebo oddělení sousedních prvků jednom substrátu, tudíž nepředstavují fyzickou hranici. ( 0=−−−∇⋅∇ Cpn q Ψ ε (50) ( ) t n RΨnnD ∂ ∂ =−∇−∇⋅∇ (51) ( ) t p RΨppD ∂ ∂ =−∇−∇⋅∇ (52) Pro matematickou analýzu třeba znát počáteční odhad proměnných p v doméně, které jsou tyto rovnice platné okrajové podmínky. 40). Zmíněné rozdělení hranic možné ilustrativně popsat idealizované geometrii planárního MOS tranzistoru (Obr. Celá doména zde reprezentována mnohoúhelníkem A-B-C-D-E-F-G-H-A. nutné však uvědomit, vztahy pro proudy tímto mohou stát nekorektní, pokud některý zmíněných efektů zásadně nabude významu. Avšak mnoha případech můžeme tuto doménu považovat dvojrozměrnou, či dokonce jednorozměrnou, čímž analyzovaný problém zásadně zjednoduší