Jaké budou Semináře 2008? Představíme celou řadu novinek ve výrobní programu OEZ s.r.o. Seznámíme vás s aktuálními trendy jištění elektrických obvodů nízkého napětí, které využívají přístrojů a softwarových nástrojů společnosti OEZ. Hlavní novinkou tohoto semináře bude uvedení zcela nové řady modulárních přístrojů pod označením MINIA, jež navazují na řadu přístrojů pro domovní rozvody. Samozřejmě vás seznámíme s inovacemi v oblasti kompaktních jističů ...
Strana 35 z 48
«
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
»
Jak získat tento dokument?
Poznámky redaktora
47 5. Zsv Zs(5s) 120 mOhm 650 mOhm )
U 406 (Un 1.46 0.2 cos (Ik“= 6.0 xB= 3.00 16.13 kA
U 406 (Un 1.5%) (Ik“= 5.82 kA)
io 4. Zsv Zs(5s) 113 mOhm 650 mOhm )
(Ik“= 5.45 kA) O.45 kA) O.95 kA
BYT2B3 Vývod
P= xB= 5.46 0.95 kA
.04 O.47 5. 30
Způsob uložení Kabel trubce stěně zdi, liště nebo v
kabelovém kanále
Uspořádání seskupených obvodů Seskupené svazku, zapuštěné
nebo uzavřené
Počet seskupených obvodů 1
BYT2B1 Vývod
P= xB= 5.12 kA) trubce stěně (B)
dU 0.46 0. Zsv Zs(5s) 113 mOhm 650 mOhm )
I 4. Zsv Zs(5s) 113 mOhm 650 mOhm )
I 7.9 %
FPS PN000gG
In Icc 120 Připojeno pomocí FH000; Cd/Pb free
io 5.K.04 O.47 5.04 O.82 kA) O.13 kA
U 406 (Un 1. Zsv Zs(5s) 107 mOhm 650 mOhm )
Teplota okolí [st.3 mOhm
In 160 11.47 5.0 xB= 3.K.6%)
BYT1B3 Vývod
P= xB= 5. Zsv Zs(5s) 107 mOhm 650 mOhm )
I 7.K.8 kA
dU 0.82 kA)
io 4.82 kA)
io 4.95 Teplota okolí [st.6%)
BYT1A2 Vývod
P= 7.12 kA) O. Zsv Zs(5s) 120 mOhm 650 mOhm )
U 406 (Un 1.K.K.2 cos (Ik“= 6. Zsv Zs(5s) 120 mOhm 650 mOhm )
U 406 (Un 1.K.13 O.3 cos (Ik“= 6.9 mOhm, 29.6%)
HDV2-3 1x35+25
Iz 110 (Ik“= 6.Odborné semináře 2008
NOVINKY PROGRAMU SICHR, ŘEŠENÝ PŘÍKLAD BYTOVÉHO ROZVODU
33
Přehled parametrů výpočtů
(Řešení hlavního domovního vedení pomocí vývodů opakováním)
PS Síť TN
U2 237/410 Ik“= 7. Zsv Zs(5s) 113 mOhm 650 mOhm )
I 7.K.25 Vývod
S (Ik“= 5.K. 30
Způsob uložení Kabel trubce stěně zdi, liště nebo v
kabelovém kanále
Uspořádání seskupených obvodů Seskupené svazku, zapuštěné
nebo uzavřené
Počet seskupených obvodů 1
BYT1B1 Vývod
P= xB= 5.3 cos (Ik“= 6.5%) 4.1 I2t k2S2 5. Zsv Zs(5s) 120 mOhm 650 mOhm )
io 4.47 5.75 0.2 cos (Ik“= 6.5%) (Ik“= 5.47 5.13 kA
U 406 (Un 1.K.5%) (Ik“= 5. Zsv Zs(5s) 120 mOhm 650 mOhm )
U 406 (Un 1.K.2 cos (Ik“= 6.0 I2t k2S2 5.K.46 0.27 Zs(5s) 650 mOhm (Ia 356 A)
HDV1 1x35+25
Iz 110 (Ik“= 6.K.95 kA
BYT2A2 Vývod
P= 7.75 0.K. Zsv Zs(5s) 107 mOhm 650 mOhm )
I 7.12 kA) O.82 kA) O.95 kA
1.45 kA) O.12 kA) O.45 kA) trubce stěně (B)
dU 0.04 O. Zsv Zs(5s) 107 mOhm 650 mOhm )
I 4
