2. Potřebná část chladicícho profilu odřízne vyvrtají se
55
. impul
sovém provozu, zatěžován ztrátou, která přímo úměrná odevzdávané
mu výkonu nepřímo úměrná účinnosti koncového stupně. 2.W cnr)
Součástky, které vyžadují větší chlazení, např.cm Poloha úprava desky C
měď 3.
Tepelný odpor mezi stejnou plochou tranzistoru chladiče K2bývá 0,1
až závisí jakosti styku pouzdra tranzistoru chladičem.1. Tepelné vodivosti materiálů chladičů faktory C
Materiál k(W ,°C . Platí přibližný vztah
3,3 650 ,
K C0’25 -----C (°C .°C . Žebrované profily dodávají výrobci ve
větších délkách. Kolektorový přechod tranzistorů zapojených třídě popř.d s
kde Aje tepelná vodivost materiálu desky, tloušťka desky, plocha desky
a korekční faktor.1.
Tab. -Konkrétní hodnoty tepelných vodivostí různých
materiálů faktory udává tab.
Velikost tepelného odporu chladiče závisí materiálu, tvaru,
povrchové úpravě poloze. Předpokládá se, plocha chladiče
má přibližně čtvercový tvar chlazenou součástkou uprostřed.torů zapojení třídě dána součinem jejich klidového proudu napě
tí. výkonové tranzistory, se
umísťují žebrované chladiče.
Tento odpor ještě zvětší vložením izolační destičky tloušťky 0,05 mm
mezi tranzistor chladič asi 0,3 ~‘. Zlepšení přechodu tepla
z tranzistoru chladiče dosáhneme potřením dosedací plochy tranzisto
ru silikonovým olejem nebo vazelínou.cm, mm, )
Já.8 vodorovná čistá 1,00
hliník 2,1 svislá čistá 0,85
mosaz 1,1 vodorovná černěná 0,50
očel 0,46 svislá černěná 0,43
Pro chladicí desky, které nepřevyšují svými rozměry plochu asi cm2,
lze pro výpočet tepelného odporu použít zjednodušeného vztahu
650 C
K -------- (°C
