2. Jednodušeji popsat jako
frekvence, při které proudový zesilovací činitel zapojení společným
emitorem roven jedné.
Mimo údaje mezních hodnot napětí proudů všech elektrod dovole
ného rozsahu pracovní teploty jako další parametr uvádí mezní frek
vence definovaná jako součin absolutní hodnoty proudového zesilova
cího činitele zapojení společným emitorem frekvence, níž klesá
tento zesilovací činitel oktávu. Spek
40
. Admitanční parametry pro vyšší frekvence udávají
v komplexním tvaru, aby parametru byla obsažena složka reálná od
por, složka imaginární, zpravidla kapacitní.8. Jedná tranzistor polarity NPN
a charakteristiky uvádějí závislost proudu kolektoru 7Ca báze IBna napětí
mezi kolektorem emitorem UCE bází emitorem UBE. samozřejmé, hodnoty parametrů pro
jeden typ tranzistoru mění okolní teplotou, frekvencí nastaveným
pracovním režimem. čtyřpólovými parametry Pro nízkofrekvenční tranzisto
ry vžil popis pomocí hybridních parametrů pro vysokofrekvenční se
používají admitanční parametry Jednotlivé parametry udávají následu
jící vlastnosti:
hu vstupní odpor při výstupu nakrátko
h[2( zpětné zesílení při rozpojeném výstupu
^2 proudový zesilovací činitel při výstupu nakrátko
hr2 (S) výstupní vodivost při rozpojeném vstupu
yu (S) vstupní vodivost při výstupu nakrátko
y\i (S) zpětná vodivost při výstupu nakrátko
yu (S) přenosová vodivost neboli strmost při výstupu nakrátko
J22 (S) výstupní vodivost při výstupu nakrátko
Dalším indexem nebo příslušným parametrem rozlišují
parametry tranzistoru podle druhu jeho zapojení (se společným emito
rem, bází nebo kolektorem).současné době uplatňuje zapojení tranzistoru společnou bází
zejména vysokofrekvenčních zesilovačích, které pracují frekvencemi
několik set megahertzů více. Charakteristiky
udávají střední hodnoty většího počtu měřených kusů při teplotě okolí
25 °C.
Pro informaci uvedeme charakteristiky tranzistoru pro všeobecné
použití typu KF506 obr. Dalším udávaným parametrem vlastní šum
tranzistoru, projevující šumovým napětím výstupním obvodu.
V podrobnějších katalozích jsou vlastnosti bipolárních tranzistorů cha
rakterizovány tzv
