Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 31 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Princip činnosti ostatních základních polovodičových součástek vždy založen působení styku dvou nebo více vrstev polovodičů různého typu vodivosti, když vnitřní uspořádání moderních tranzistorů podstatně složitější, než bylo uvedeno. 2. usměrňovači diody. Proto bývá častěji definováno proudové zesílení tranzistoru zapojení společným emito- rem jako f , ^211! Pro informaci uveďme, zesilovací činitel ho1E tranzistoru bývá 50 až 800, vstupní odpor emitoru stovky ohmů výstupní odpor kolektoru stovky kiloohmů. Speciální typy jsou určeny pro zesilování frekvenč­ ním pásmu několik gigahertzů. Jedním z nich jsou tzv. výkonovému zesílení však tomto zapojení dochází, protože vstupní impedance emito­ ru několik řádků menší než impedance kolektoru. Mezi vývody anody katody kapacitu závislou velikosti polaritě vnějšího přiloženého napětí. zapojení společnou bází jako / c Je zřejmé, tento výraz bude vždy menší než jedna. DIODY TYRISTORY Princip činnosti polovodičových diod jsme již uvedli. hlediska použití elektronických obvodech existuje mnoho druhů diod.základě předchozího rozboru můžeme definovat proudový zesilova­ cí činitel tranzistoru tzv. Jejich voltampérová charakteristika nemá tak lineární průběh ostré zlomy, jak výplývá zjednodušeného popisu činnosti. Dále si popíšeme jednotlivé druhy polovodičových součástek, především s ohledem jejich vlastnosti možnosti použití. prahovém napětí daném typem materiálu polovodiče. Skutečná dioda vykazuje přímém směru jistý nenulový odpor, podob­ ně jako zpětném směru nemá odpor nekonečně veliký. Každá dioda určitý dovolený mezní proud 31 .1. nepropustného stavu nepřechází při nulovém napě­ tí, nýbrž při určitém vyšším napětí, tzv