Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 230 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Pokud zpracováváme signály frekvencích podstatně nižších, než je mezní frekvence tranzistoru, můžeme náhradní zapojení zjednodušit. Zjednodušené náhradní schéma tranzistoru pro vyšší 0 frekvence Je-li zatěžovací odpor roven označíme-li C/G jako CvRz jako rz, dostáváme tyto vztahy pro náhradní zapojení širokopásmového zesilo­ vače uvedená zjednodušení: pro napěťové zesílení A —SRZ 1 JOJTz pro vstupní impedanci 1 1 Zu -------------- G JfflT a pro výstupní impedanci 1 Z22 z 1 OJTz Z uvedeného příkladu zřejmé, určitých okolností lze výpočet širokopásmového zesilovače značně zjednodušit. Dále můžeme kapacitu ccezahr­ nout vnější připojené impedance zanedbat vliv zpětnovazební kapa­ city cbc, která moderních vysokofrekvenčních tranzistorech malá. 2 u2 Obr. Předně můžeme zanedbat vliv odporů rbc rce, které jsou proti připoje­ ným vnějším impedancím obvykle velké. 8. Míra zjednodušení závisí 233 . Tak dojdeme ještě jednoduššímu zapojení podle obr. Toto schéma platí pro všechna základní zapojení tranzistorů.5. Přitom velikost parametrů lze získat měřením při nízkých frekven­ cích. 8.5. Obsahuje ideální tranzistor charakterizovaný pouze strmostí vstupní vodivostí s odporem kapacitou Zátěž tvořena reálnou částí kapacitní částí C7