Konštrukcia výkonových polovodičových měničov

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha sa zaoberá problematikou konštruovania výkonových polovodičových meničov. Rozoberá špecifické črty konštrukcie meničov z hľadiska požiadaviek noriem a predpisov, potrieb používateľov a technológie výroby. Podrobne sú v nej opísané základné súčasti a bloky meničov, problémy chladenia, unifikácie konštrukcií, montáže, údržby a revízie.Knihu uzatvárajú typické príklady použitia výkonových polovodičových meničov v praxi.Určená je inžinierom a technikom, ktorí sa oboznamujú s problematikou stavby výkonových polovodičových meničov, pracovníkom údržby, revíznym technikom, konštruktérom, projektantom a energetikom v priemysle. Môže poslúžiť aj ako príručka pre študentov stredných odborných a vysokých škôl.

Vydal: Alfa, vydavateľstvo technickej a ekonomickej litera­túry, n. p., 815 89 Bratislava, Hurbanovo nám. 3 Autor: Ivan Slávik

Strana 64 z 328

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Tabletová dióda BBC—SÉCHÉRON stredovým upevňovacím otvorom Výkonové tranzistory vyrábajú všetkých troch dosiaľ uvedených konštrukčných vyhotoveniach. Trvalý dovolený jednosmerný prúd je 8 kA, závěrné napätie 700 Použitie tejto diódy bloku vodným chladením ukazuje obr. obr. 81. Jej priemer 200 mm, hrubka mm. 39. Tranzistory prúdy vyrábajú v špeciálnych „tranzistorových“ puzdrách podľa obr. 37. 38 Obr. najväčšia dióda svete. Obr. 38. Výkonový tranzistor SIPMOS SIEMENS typ BUZ 200 V riadený elektrickým poľom 66 .obr. dióda typu DSA 380/ /14-07 firmy BROWN BOVERI Séchéron (Švajčiarsko NSR)