Učební text obsahuje návody k laboratorním cvičením z předmětu Impulzová a číslicová technika. Ke každé laboratorní úloze je uveden stručný teoretický rozbor, přesné znění zadání, schéma zapojení přípravku s komentářem a podrobné pokyny k realizaci měření. Pro kontrolu domácí přípravy studenta k laboratornímu cvičení slouží kontrolní otázky. Připravené formuláře protokolů mají studentům usnadnit zpracování zprávy o měření. V úvodní části skript jsou shrnuty organizační pokyny definující časový plán cvičení i požadavky kladené na studenty ve cvičení. Poslední kapitoly mají obecnější charakter a vysvětlují některé pojmy a souvislosti, které studentu poslouží nejen v konkrétním laboratorním cvičení.
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UREL - Viera Biolková, Ivana Jakubová, Jaromír Kolouch
Strana 62 z 122
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Jeho emitorový proud uvádí tranzistor nasycení.2 tato: Je-li oba vstupy přivedeno napětí odpovídající
úrovni jsou emitorové přechody tranzistoru polarizovány závěrně proud jeho báze teče do
báze tranzistoru T2, který sepnut.2.2
Při nulovém vstupním napětí teče proud báze tranzistoru jeho emitoru vytéká vstupem
obvodu (protože teče ven obvodu, pokládáme jej záporný). výstupu tedy napětí
úrovně L.
Průběh vstupní, převodní odběrová charakteristiky, tj. 7.2. závislosti vstupního proudu,
výstupního napětí odběru napájecího zdroje vstupním napětí obvodu (Obr. 7. Mezi těmito charakteristikami zřejmá souvislost, proto je
účelné kreslit tak, aby tato souvislost byla viditelná. záchytné diody, chrání vstupy proti možnému porušení záporným
vstupním napětím, které může vzniknout například důsledku odrazů, jsou-li vstupy připojeny k
delšímu spoji, který vlastnosti odpovídající dlouhému vedení.
Diody D2, tzv. jsou pak odlišné převážně jen
v číselných hodnotách.3), lze vysvětlit
opět základě schématu Obr. 7.
Funkce zapojení Obr.
Obr. Všeobecně nedoporučuje
používat tyto diody jako ochranné prvky proti zápornému vstupnímu napětí „silnějšího“ charakteru,
i když některých logických členů uvádějí hodnoty jejich parametrů, které dovolily tyto
hodnoty mohou být odlišné různých výrobců, může tím zvýšit namáhání jiných vstupů, které
by byly úrovni H. hodnota natolik malá, tranzistor zahrazený. 7.62
Standard.2. Povšimněte jí, zejména shody ve
vodorovné souřadnici úseků charakteristik, které představují přepnutí mezi úrovní H!
Pro vysvětlení průběhu vstupní charakteristiky uvažujme pro jednoduchost obvod jedním
vstupem invertor, který počet vstupů shodný členem NAND nakresleným Obr.
Tranzistor pak dodává výstupu proud výstup úrovni H. 7. bázi
tranzistoru napětí tvořené součtem napětí přechodu báze emitor saturačního napětí
tranzistoru T2. 7.
Přivede-li kterýkoliv vstupů napětí úrovně uvede tranzistor nasycení,
takže napětí jeho kolektoru poklesne hodnotu, při níž tranzistor tím zahrazen. Vnitřní struktura jednoho členu 7400 jeho schematická značka
Vnitřní struktura jednoho logického členu 7400 logickou funkcí NAND nakreslena na
Obr. Ostatní členy této řady, výjimkou výkonových členů, členů otevřeným kolektorem a
některých dalších speciálních členů mají (až počet emitorů vstupního tranzistoru) stejné
uspořádání vstupních výstupních obvodů (tranzistory T1, T4), čehož vyplývají shodné
průběhy vstupních výstupních charakteristik těchto obvodů také shoda příslušných parametrů. Vlastnosti obvodů dnes používaných řad LS, ALS atd. dosti velký, jeho hodnota dána
.
Obvody jiných řad mají často jiné uspořádání vstupů, například jsou zde použity tranzistory PNP
u řady ALS nebo diody řady LS, funkce těchto obvodů jejich základní charakteristiky však
zůstávají podstatě stejné
