Od elektráren k mikroelektronice. Kdybychom měli rozsvítit stowattovou žárovku roztáčením dynamka ruční klikou, vydrželi bychom to jen krátkou chvíli. Teprve však po deseti hodinách takové úmorné dřiny bychom vykonali práci jedné kilowatt hodiny, za kterou platíme jen několik desítek haléřů. Každý z deseti generátorů sibiřské hydroelektrárny Sajano-Šušenskoje má výkon odpovídající výkonu svalů více než osmi miliónů lidí. Během příštího století lidstvo patrně spotřebuje více energie, než ji spotřebovalo za všechna předcházející tisíciletí své minulosti. Jedním z nejnaléhavějších úkolů vědy a techniky je tuto energii zajistit.
• Existují používají polovodiče dvěma typy vodivosti —
polovodič typu přebytkem elektronů, polovodič typu nedostat
kem elektronů. Monolitické integrované obvody
vznikaly tím, použití planární technologie rozšířilo výrobu
ostatních součástek celých elektronických obvodů.
Monolitické egrované y
Druhý směr vývoje integrovaných elektronických obvodů vycházel
z osvědčené technologie výroby polovodičových diod tranzistorů.
Než zmíníme způsobu výroby monolitických integrovaných
obvodů, musíme připomenout některé vlastnosti polovodičů:
• Elektrickou vodivost polovodičových materiálů lze příměsí atomů
jiných prvků reprodukovatelně měnit rozmezí „téměř izolantu“
až „téměř vodič“ . téhož materiálu, něhož zhotovují diody
a tranzistory.
86
.
Kolem 1960 byla vyvinuta tzv. planární technologie, která umož
ňovala jedné křemíkové destičce současně vyrobit velký počet diod
nebo tranzistorů velmi dobré jakosti. hybridní integrované obvody, které spo
lečném pouzdru obsahují vlastní vrstvový integrovaný obvod ním
spojené přídavné součástky, např. zde ovšem používají
také přídavné vrstvy nanesené povrch, např. kondenzátory, tranzistory nebo složité
monolitické integrované obvody polovodičové destičce (tzv. Místo zde tenká destička
(čip) křemíku, tj. Opět používají plátky větších
rozměrů, nichž současně zhotoví větší počet obvodů pak plátek
rozdělí jednotlivé čipy.
• Součástky obvodu nejsou čipu, nýbrž něm. čipu). vodivé nebo izolační
vrstvy. Výsledkem jsou tzv.
Základní znaky planární technologie jsou tyto:
• Nepoužívá podložka izolantu. tloušťku asi 0,1 délku stran několika desetin
milimetru několika milimetrů.
Stejně tak musí vsazovat jiné součástky, které nelze touto technikou
zhotovit, nepodaří-li vyloučit jejich potřebu vhodným návrhem
obvodu. Jsou povrchu
vpraveny dovnitř polovodičového materiálu.Především však nejsou dispozici technologicky vyzrálé metody
zhotovení diod tranzistorů technikou tenkých (nebo tlustých) vrstev.
Nezbývá nic jiného, než tyto součástky obvodu dodatečně vsazovat
