Elektronika V1 1.semestr

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Strana 51 z 75

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
skupiny (S, Se, Te) P-GaAs získá dotací prvkem II. skupiny (Zn) o kvantová účinnost 0,2 2% při dotaci křemíkem (Si) amfoterní příměs (vytváří buď donory nebo akceptory, podle toho, který základní prvek nahrazuje) o kvantová účinnost asi 6% o větší rychlost odezvy .51 Vlastnosti materiálů pro zdroje záření vhodná šířka zakázaného pásu (určuje vlnovou délku emitovaného záření) jednoduchá levná technologie přípravy materiálu přímé mezipásové přechody (velká účinnost zářivé rekombinace) chemická stálost odolnost možnost přípravy obou typů vodivosti pro vytvoření přechodu PN možnost legování vhodnými příměsemi pro vznik záření s požadovanou vlnovou délkou používané sloučeniny o binární AIII BV (GaAs, InP, GaP) o ternární (GaAsP, GaAlAs, InGaP) o kvartenární (GaInAsP) Diody přímými přechody zhotovené GaAs šířka zakázaného pásu 1,43eV při 300K vyzařují infračervené oblasti 0,9µm) pro optické komunikační systémy vyzářený výkon 1mW ∼10mW při budícím proudu 100mA N-GaAs získá dotací prvkem VI