Kniha 4: Pokusy s optoelektronikou.
Strana 48 z 190
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Poznámky redaktora
Fotopolovodič konstruován tak,
ze hradlová vrstva leží těsně pod povrchem krystalu, aby světlo své cestě ní
utrpělo nejmenší ztráty.
P N
0o
0°
©
o
o"5
(
0o
v
"“o"
o
0
o
O ©
0 ol
M
ťriložemm napětí závěrném směru rozšiřuje hradlová vrstva
Ale pohyblivé náboje jsou vázány jen velmi slabě. Hradlová vrstva rozšíří působí jako izolátor. Dopadá-li přechod světlo,
uvolňují záporné náboje (elektrony) kladných děr putují kladnému pólu
připojeného napěťového zdroje. Obratem uvolněné díry znovu obsazují dalšími
elektrony přicházejícími záporného pólu.49
p N
= <
OO
oo
®
ó ©
o ©
Ol ©
o ©
ľ hradlové vrstve polovodiče neutralizují volné náboje
Přiloží-li polovodič napětí závěrném směai, odvedou obou oblastí další
volné náboje. Také dotování (obohacení krystalu příměsemi pohyb
livými nosiči náboje) podřízeno účelu.
. Vysoká citlivost světlo prioritu
před vysokým závěrným napětím vysokým proudem propustném směru. Čím více světla
na přechod dopadá, tím častěji tato izolace proražena tím větší proud protéká,
Čím skutečný fotocitlivý polovodič liší našeho pseudofototranzistoru, jsou
leehnické detaily, které zlepšují účinek senzoru. ale
není případ tranzistoru 2N3055, proto jako fototranzistor hodí nanejvýš na
šim pokusům. Energie světel
ných paprsků nepatrně potlačuje izolační účinek hradlové vrstvy. Tímto tokem elektronů záporného
pólu polovodiče polovodiče kladnému pólu vzniká proud
