tyristory
a unipolámí tranzistory FET, dají vyrábět světlocitlivém provedení (fototyris-
tor, fotoFET). Mají výhodu, bez dalších výdajů součást
ky poskytují podstatně vyšší proud závislý osvícení. Jako výstupní veličina využívá buď přímo proud nebo tento nechá
protékat odporem, kterého pak odebírá měřicí napětí. Jejich obvody
se často rozšiřují fotoDarlingtonovo zapojení.45
slruován jako fotodióda, může tedy něj přes průsvitné pouzdro dopadat světlo. To
má optoelektronických obvodů pro přenos dat, např. kabelech skleněných
vláken, velký význam, protože zde pracuje kmitočty MHz GHz pásmu. Speciální fotodiody PIN zvládnou asi ns, některé
modely dokonce méně než ns. Jako měřicí ústrojí se
hodí jednoduchý, levný mechanizmus otočnou cívkou.
Předběžně zmiňme, ijiné klasické polovodičové prvky, jako např.měny vůbec sledovat, říkáme, mají nízký mezní kmitočet, příp. Pak
se vhodným způsobem kombinují rychlé fotodiody speciálními vysokofrekvenč
ními zesilovači. Zajímavé
jsou dále lavinové fotodiody, které základě lavinového jevu krystalu polovodi
če vykazují schopnost vnitřního zesílení. potenciometrech se
nastaví požadovaný indikační rozsah, ocejchování stupnice luxech nicméně
potřebujeme kalibrovaný luxmetr (neboli osvitoměr expozimetr). důsledku toho fototranzistor řídit dvěma způsoby:
světlem řídicím proudem přívodu báze.
.
Tento řídicí proud zesílí činitelem proudového zesílení tranzistoru aje dispozici
jako kolektorový proud. těchto součástkách tedy není žádné využitelné výstup
ní napětí. Maximální hodnoty zesilovacího činitele
se pohybují okolo 200 jejích šířka pásma dosahuje 200 GHz.is, potřebují
Ibtotranzistory asi jas.
Fotoproud fototranzistoru stačí buzení měřicího přístroje. mnohajednoduchých měřicích přenosových úlohách však níz
ký mezní kmitočet (asi 200 kHz) fototranzistorů nehraje žádnou roli. Její závěrný proud teče diodou báze-
emitor emitoru, působí tedy jako řídicí proud tranzistoru přiváděný báze. šířku pásma.
Fototranzistory fotodiody režimu nakrátko) chovají jako zdroje proudu:
jejich proud prakticky nezávisí přiloženém napětí, jak jsme zvyklí odporů,
nýbrž jen intenzitě dopadajícího světla fototranzistorů vyvedenou bází
ještě proudu báze). Proti tomu stojí nedostatek
fototranzistorů: jsou (mimo jiné kvůli kapacitě báze-kolektor) značně pomalejší
než fotodiody. Vyrábějí rovněž celé integrované obvody fotofúnkcí. Zatímco fotodiodám stačí sepnutí typická doba asi |.
Samozřejmě možno fototranzistorem budit „silnější“ spotřebiče, než citli
vé měřicí ústrojí sice přidání dalšího tranzistoru.
Protože dioda báze-kolektor normálně polarizována závěrném směru, pracuje
ii fototranzistoru rovněž závěrném režimu. znamená, změny intenzity osvícení nereagují tak rychle
jako fotodiody. některých fototranzistorů však
není báze vyvedena samostatným vývodem; tyto typy uplatňují jako fotodiody
se zvýšeným výstupním proudem. Protože fototranzistory nejsou schopny rychlé
/
