Elektronika tajemství zbavená (1) Pokusy se stejnosměrným proudem

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Tato kniha tedy má poskytnout určité teoretické základy, ale především chce objasnit věci, které jsou důležité k pochopení elektroniky a samotné stavbě elektronických obvodů. A protože i to nejzajímavější vysvětlování časem nudí a navíc člověku nejlépe utkví v paměti to, co si sám vyzkoušel, obsahuje tato kniha mnoho pokusů, které je možno za pár minut sestavit z dílů, jež lze většinou koupit za pár korun v každém obchodě s elektronikou (s výjimkou multimetru, o kterém ještě budeme mluvit). Ihned se také dovíte, co v příslušné součástce nebo obvodu probíhá. Zvláštní dovednosti, například ...

Vydal: HEL, ul. 26. dubna 208, 725 27 Ostrava - Plesná Autor: Adrian Schommers

Strana 76 z 114

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Typy tranzistorů FET 75 JFET FET, kterém jsme doposud mluvili, označován jako JFET kanálem Kanál proto, že materiál mezi emitorem kolektorem obsahuje volné elektrony, JFET jako .juncti­ on“, anglicky: hradlová vrstva) proto, hradlo kanálu izolováno přechodem PN. jejich otevření dochází tehdy, když hradlo přiloženo napětí. 161 Syslematika rozdílných typů FET MOSFET Druhá velká rodina tranzistorů FET, tzv. Vodivé (Depletion) MOSFET jsou stejně jako JFET vodivé, když hradlo není přiloženo žádné napětí. MOSFET rovněž vyrábějí kanálem nebo proto zde rozlišujeme celkem čtyři typy tranzistorů MOSFET. Zavřené typy (Enhancement) MOSFET bez napětí hradle nacházejí v nevodivém stavu.15. Kromě toho vyrábějí MOSFET dvěma hradly, tzv. Opak, JFET kanálem funguje stejně jako JFET kanálem veškeré polarity však jsou zaměněny. FET hradlovou vrstvou FET) Obohacovaci i Ochuzovaci (Depletion)MOSFET (Enhancement) MOSFET p Kanci n-Kanal Kanci n-Kanal Kanal n-Kanal D l M “«i ■aii v-----------------------------1 v--------------------------- Vodivé FET Zavřené FET Obr. Dále rozlišují vodivé závěrně typy MOSFETů. 1 Obr. 162 Značení 02 ,e,rody -----Vi schématech 01 zapojení . Napětí hradla tyto tranzistory FET uzavírá. MOSFET (MOS „metal oxid sillikon“, anglicky: kov oxid křemík), jsou sice konstruovány jinak než JFET hradlo materiálu kanálu izolováno velice tenkou vrstvou oxidu podstatě však fungují stejně. MOSFET-tetrody (Dual-Gate-MOSFET). Jejich svodový proud na hradle však 1000 krát nižší