|
Kategorie: Diplomové, bakalářské práce |
Tento dokument chci!
Cílem práce je navrhnout jednočinný blokující měnič dle zadaných parametrů splňující požadavky norem pro elektromagnetickou kompatibilitu. Práce detailně popisuje návrh zdroje a jsou v ní shrnuty zásady pro návrh plošného spoje. Při návrhu zdroje byly uplatněny poznatky z řady srovnávacích měření vlivu konstrukce spínaného zdroje a volby použitých součástek na rušivé vyzařování do sítě. Významná část práce je věnována způsobům měření rušení do sítě (Conducted EMI) a oddělení soufázové a protifázové složky rušení. Je popsáno snadno realizovatelné měření rušení v časové oblasti. V závěru bylo provedeno ověřovací měření navrženého zdroje.
6.
. Byl použit
MOSFET typu IRFB4115 nízkým odporem RDS(on) mΩ.
Výsledný tlumicí obvod skládá paralelní kombinace dvojice rezistorů
R130 R131 kondenzátoru 5,6 nF. Zapojení sekundární
části zdroje synchronním usměrňovačem Obr. byla vypočtena známé rezonanční frekvence
fo MHz parazitní kapacity diody pro napětí 1,34 jako
( )
. Hodnoty těchto rezistorů však nepodařilo nastavit
tak, aby funkce synchronního usměrňovače byla spolehlivá celém rozsahu vstupního
napětí výstupního výkonu. Použitý kontrolér umožňuje
nastavení minimálních časů zapnutí vypnutí synchronního usměrňovače pomocí
externích rezistorů (R4 schématu) pro potlačení falešných zapnutí vypnutí
způsobených rušením obvodu. 34.
Jako kontrolér byl vybrán obvod NCP4303 Semiconductor, jehož výhodou
je univerzalita použití malý počet potřebných externích součástek [17]. zvětšuje nároky chlazení také výrazně zhoršuje
účinnost. plošném spoji byla
alespoň vytvořena možnost použít dvě usměrňovací diody pouzdru TO-220 paralelně
pro snížení teplotního namáhání diod mírné zlepšení účinnosti. Thomsonova vzorce byla vyjádřena
rezonanční indukčnost Lo. MOSFET ovládán kontrolérem závislosti polaritě napětí
na sekundárním vinutí transformátoru. Pro dosažení požadované účinnosti při výstupním napětí nutné
použití synchronního usměrňovače.
Principem synchronního usměrňovače použití výkonového MOSFET tranzistoru
přemosťujícího diodu. (6.42
Pro tuto diodu byl navržen tlumící obvod. zdroje výstupním
napětím proudem 5,8 výkonové zatížení diody prakticky dvojnásobné
oproti verzi zdroje.26)
Následně byla spočtena impedance rezonančního obvodu
√ (6. Řešením zřejmě bylo aktivní řízení těchto časů, jehož
návrh však přesahuje rámec této práce.6 Návrh synchronního usměrňovače
V referenčním návrhu zdroje výstupním napětím proudem 3,5 byla
pro usměrnění použita Schottky dioda nízkým úbytkem napětí.
Navržený synchronní usměrňovač tedy nebyl použit.27)
Je vhodné, aby tlumící rezistor měl hodnotu rovnu jmenovité impedanci, tlumící
kondenzátor kapacitu větší než parazitní kapacita diody [2]
