Dioda, tranzistor a tyristor názorně

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Vladimír Suchánek

Strana 31 z 304

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Je silně závislý teplotě, jejíž zvýšení následek generaci (vytvoření) dvojnásobného počtu párů elektron— díra.Kontrolní otázku: Jak nazývame tento chybějící elektron? a) Valenční elektron. c) Současný vznik dvou děr. Tento elektron pak může volné po­ hybovat krystalem. Podobně krystalu dotovaném kladně (dotace typu P) odevzdává akceptor díru, jež může pohybovat stejně snadno jako elektron, dodaný donorem. Popsaný jev proto nazývá gen erace páru elek tron díra. slabě dotovanj^ krystalech připadá dotující atom příměsi asi 10® 109 atomů křemíku germania. b) Díra. Kontrolní otázka: Někdy hovoříme polovodiči, vykazujícím velký odpor. b) Současný vznik jednoho volného elektronu jedné díry. Jestliže valenční elektron vytrhne vazby atomové mříže stává se volným elektronem, vzniká stejném okamžiku jeho bývalém místě díra. vlivem jeho oteplení. 32 . Generace páru elektron—díra Volné elektrony mohou vznikat nedotovaném krystalu křemíku či germania např. takovém případě jedná polovodič dotovaný a) silně, b) slabě ? 3. Vodivost krystalu tedy tím větší, čím větší počet doňorů akceptorů, obsažených krystalu. Vytvoření párů nosičů nábojů probíhá již při běžných teplotách, ale teprve dosažení vyšších teplot jeho vliv tak silný, určuje horní teplotní mez provozu polovodičových součástek, Kontrolní otázka: rozumíme pod pojmem generace páru nosičů nábojů? a) Současný vznik dvou volných elektronů. Hovořírne-li silně krystalu křemíku geľrmania, znamená to, každých I02 104 atomů těchto prvků připadá jeden atom cizí příměsi. 2, Silná slabá dotace základního materiálu V krystalu dotovaném záporně odevzdává každý donor svůj přespo- četný elektron jíž při běžné teplotě