Dioda, tranzistor a tyristor názorně

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Vladimír Suchánek

Strana 195 z 304

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Tyto nosiče jsou a) převážně jednoho druhu, tzn. Kontrolní otázka: Propustný proud tyristoru vzniká pohybem nosičů nábojů. 2. jak volné elektrony, tak díry. buď volné elektrony, nebo díry, b) obou druhů, tzn. Pochod stále opakuje končí tím, oba původně závěrně polarizované přechody báze—kolektor obou tranzistorů jsou zaplaveny nosiči nábojů a přecházejí proto vodivého stavu. Původní řídicí proud, vyvolaný vnějším zdrojem pomocného řídicího napětí tedy nyní zvětšil vlivem kladné vazby mezi oběma tranzistory. Oba tranzistory sepnuly, což znamená, že tyristor přešel propustného stavu. sepne? 4. V2 elektronový proud ÍM- derovy S p*™“ i 11 Výstupní kolektorový proud prvního tranzistoru však vlivem vzájemného spojení obou tranzistorů současně řídicím proudem tranzistoru V2. Kolika přechodů využívá tyristor? 3. Udejte sled polovodičových oblastí tyristoru počínaje anodou. Který proud tyristoru způsobí, tyristor přejde blokovacího stavu propustného, tzn. Jakým myšlenkovým obratem snadno vysvětlíme mechanismus přechodu tyristorové struktury vodivého stavu? 5. důsledku toho se otevírá tranzistor jeho emitorový kolektorový proud značně vzrůstá. K TRO TEST B 1. Které dva předpoklady musí být splněny, aby mohl tyris­ tor sepnout ? 196 . 174) značně větší proud, procházející emito­ rem kolektorem Kolektorový proud ic2 vstupuje báze tranzis­ toru pro který představuje řídicí proud báze Bj.emitovaných napětím vstupuje oblasti báze vyvolává vlivem tranzistorového jevu (obr