Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
čárkovaného, zakřiveny opačných směrech:
---- h
Obr.emitorem báze—emitor ten se, jak víme, chová podobně jako dioda
polarizovaná propustně, vstupní charakteristika tranzistoru zakřivená
a obdobně bude zakřivená převodní charakteristika f(ř7BE)> nazna
čená obr. 99. Vliv impedančního přizpůsobení
na zkreslení výstupního proudu
tranzistoru
při proudovém buzení (odpor značný) směrem vzhůru, při napěťovém
buzení (odpor malý) směrem dolů.
Kontrolní otázka: Kdy hovoříme napěťovém buzení tranzistoru? Je
to tehdy, je-li vnitřní odpor generátoru
a) menší,
b) stejný,
o) větší
než vstupní odpor tranzistoru ?
12. Tento případ nastává tehdy, je-li tranzistor impedančně přizpůsoben
budicímu zdroji, tzn. jeho vstupní odpor stejnou hodnotu jako vnitřní
odpor generátoru,
119
. Vidíme, obě charakteristiky jsou ideálního
lineárního průběhu, obr. Přizpůsobení
Na obrázku jsou naznačeny charakteristiky, jimž jsme věnovali po
zornost článku 11. 98. Nevhodný průběh charakteristiky vyvolává znatelné zkres
lení přiváděného signálu, které můžeme kompenzovat vhodnou zpětnou
vazbou, níž zmíníme článku 22. Zřejmě lze tedy nalézt takovou
hodnotu vnitřního odporu Rgnf zdroje, kdy skutečný průběh blíží ideál
nímu
